Micron rozwija własne moduły GDDR7 o większej pojemności. Rynek czekał właśnie na takie kroki.
Nowe kości oferują 3 GB na moduł, co daje producentom kart graficznych większą elastyczność – można zwiększyć ilość VRAM bez dokładania kolejnych układów na PCB. Nagle plany o RTXie z 9 GB pamięci VRAM stają się coraz bardziej realne. Micron doskonale wyczuł niszę rynkową. Coraz częściej pojawiają się informacje, że przyszłe modele z serii GeForce RTX 50 mogą korzystać z kości 3 GB. A to przecież umożliwi tworzenie konfiguracji takich jak 9 GB czy 18 GB VRAM bez komplikowania projektów płytek.
Firma przygotowała dwa warianty pamięci. Pierwszy, pracujący z prędkością 28 GT/s, jest już wdrożony do produkcji. Drugi, szybszy model 32 GT/s, pozostaje na etapie testów i trafia obecnie do partnerów w formie próbek. Do tej pory dominującym dostawcą takich rozwiązań był Samsung, szczególnie w kontekście kart opartych na architekturze Blackwell od NVIDII.
Pojawienie się kolejnych producentów może wyraźnie wpłynąć na rynek. Zarówno SK Hynix, jak i Micron wprowadzają własne warianty GDDR7. A to powinno przełożyć się na lepszą dostępność i potencjalnie korzystniejsze ceny. Różnice dotyczą nie tylko pojemności, ale też osiąganych prędkości – przykładowo rozwiązania SK Hynix mają oferować wyższe taktowania niż standardowe moduły Samsunga.
Na horyzoncie pojawia się też rosnąca konkurencja ze strony Chin. Tamtejszy sektor półprzewodników wchodzi w kolejny etap rozwoju, a Yangtze Memory Technologies planuje rozbudowę zakładów w Wuhan, skupiając się na pamięciach NAND i DRAM. Wsparcie państwa i własne zaplecze technologiczne mają pomóc w zmniejszeniu dystansu do globalnych liderów.
Zobacz też:
Samsung wycofuje się z pamięci LPDDR4.
NVIDIA wstrzymuje produkcję uwielbianej karty graficznej.
Karty pamięci drożeją w zawrotnym tempie.
