Chiny coraz bliżej własnych pamięci HBM. CXMT rozpoczęło produkcję HBM3E – to olbrzymi krok naprzód.
ChangXin Memory Technologies, czyli w skrócie CXMT, jest obecnie jednym z najważniejszych chińskich producentów pamięci DRAM. Firma coraz mocniej rozwija również technologie potrzebne do budowy akceleratorów sztucznej inteligencji. Według najnowszych doniesień przedsiębiorstwo rozpoczęło już tzw. risk production pamięci HBM3E, czyli etap niewielkoskalowej produkcji służący między innymi sprawdzeniu procesu technologicznego i przygotowaniu go do dalszego zwiększania wydajności.
Na razie nie znamy dokładnej specyfikacji pamięci produkowanej przez CXMT. Producent nie ujawnił również szczegółów dotyczących uzysku, wielkości produkcji czy konfiguracji stosów. Można natomiast odnieść się do standardu HBM3E. Pamięć wykorzystuje 1024-bitowy interfejs, a maksymalna szybkość transmisji sięga 9,6 GT/s na pin. W odpowiedniej konfiguracji pojedynczy stos może zapewnić przepustowość sięgającą około 1,23 TB/s. Przy zastosowaniu 24-gigabitowych kości DRAM stos ośmiu warstwach może mieć 24 GB, natomiast konstrukcja z 12 kościami może zaoferować 36 GB. To już klasa poważnych graczy.
Nie oznacza to jeszcze, że CXMT może konkurować z największymi producentami HBM pod względem skali. Samsung, SK hynix i Micron są już bowiem znacznie dalej i rozpoczęły produkcję pamięci HBM4. Chińczycy wykonali jednak istotny krok, ponieważ HBM3E jest wykorzystywane w wielu współczesnych akceleratorach AI.
Mimo technologicznego dystansu do liderów rynku HBM3E może okazać się dla Chin wystarczająco dobrym rozwiązaniem. Najbardziej zaawansowane akceleratory mogą potrzebować nowszych generacji pamięci, ale wiele układów przeznaczonych do określonych zastosowań AI nie musi korzystać z HBM4.
Zobacz też:
Chang’e 7 przesunięte – Chiny nie lecą na Księżyc.
AI samo kupuje już sobie pamięć RAM.
YMTC idzie po TSMC – tej siły już się nie zatrzyma
